高质量β-Ga2O3纳米材料的可控生长与表征

• 作者: 吴征远 方志来 蒋卓汛 阮微
• 来源期刊: 光源与照明
• 关键词: β-GaO3 纳米结构 可控生长
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与发光技术
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 字数: 2603字
• 语种: 中文

摘要

超宽禁带半导体单斜氧化镓(β-Ga2O3)拥有4.6-4.9eV的禁带宽度、高介电常数与击穿电场和良好的化学与热稳定性,在紫外透明电极、高温气体传感器、深紫外光电探测器以及高压大功率器件等领域具有重要潜在应用.本研究聚焦于β-Ga2O3纳米材料的制备,探究各生长参数对β-Ga2O3纳米材料性质的影响.本研究中通过优化生长条件,解决了β-Ga2O3纳米材料制备过程中晶体质量不高、生长方向不可控的问题,制备出了高质量的、厚度可控的单晶(201) β-Ga2O3纳米线、(010) β-Ga2O3纳米带与纳米片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋卓汛	复旦大学电光源研究所	1	0	0.0	0.0
2	吴征远	复旦大学电光源研究所	1	0	0.0	0.0
3	阮微	复旦大学电光源研究所	1	0	0.0	0.0
4	方志来	复旦大学电光源研究所	2	0	0.0	0.0