一种工作于Ka频段的GaN单片集成功率放大器

• 作者: 丛佳 毛陆虹 蔡昊成
• 来源期刊: 南开大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Ka频段 功率放大器 GaN工艺 功率合成
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.1
• 语种: 中文

摘要

针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15 μm GaN工艺的5W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,功率放大器的小信号增益为25 dB,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为35％.