氮化镓单晶基板量产法

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: 日本东北大学 三菱化学公司 晶体生长炉 氮化镓 半值宽度 对称面 基板 镶嵌性
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 页码范围: 8-9
• 页数: 2页
• 分类号: TG1

摘要

日本东北大学、日本制钢所公司和三菱化学公司合作,开发出了可量产直径2英寸以上的氮化镓单晶基板的低压酸性氨热(LPAAT)法。通过实现低压晶体生长,能以相对较小的晶体生长炉量产大型晶体。利用LPAAT法在基于SCAAT法的氮化镓籽晶上制作的2英寸长氮化镓单晶基板,具有晶体镶嵌性低(对称面和非对称面的X射线摇摆曲线半值宽度在28秒内)、基板几乎没有曲翘(曲率半径约为1.5公里)的良好晶体结构特性。