硅片CMP颗粒度的几个影响因素研究

• 作者: 刘永进
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 化学机械抛光(CMP) 颗粒度
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 27-28,68
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2020.02.006

摘要

颗粒度是CMP工艺的重要指标.针对CMP的几个工艺参数进行实验,获得了各参数对硅片CMP后颗粒度的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘永进		1	0	0.0	0.0