纳米CMOS器件中源/漏串联电阻栅长相关性研究

• 作者: 李茹 马丽娟
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: CMOS器件 源/漏串联电阻 栅长 相关性
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 字数: 3443字
• 语种: 中文

摘要

本文利用恒定迁移率、直接Id-Vgs和Y函数三种方法对纳米CMOS器件中提取的源/漏串联电阻(Rsd)与器件栅长(L)相关性进行了研究.结果 表明,采用恒迁移率方法得到的Rsd具有与栅长无关的特性,纳米小尺寸CMOS器件的Rsd值在14.3Ω～10.9Ω之间.直接Id-Vgs和Y函数方法都得到了与L相关的Rsd值,误差分析发现从直接Id-Vgs和Y函数两种方法中提取的Rsd对L依赖性与提取过程中的栅极电压导致有效沟道迁移率(μeff)降低有关,推导过程中忽略了这种影响,Rsd值叠加了一个与栅长相关的量.本文计算了这个叠加的误差值,并得到消除此误差值之后各个栅长器件的Rsd值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马丽娟		10	1	1.0	1.0
2	李茹		6	0	0.0	0.0