具有三明治集电极结构的新型无电压回跳半超结RC-IGBT

• 作者: 刘超 夏云 肖紫嫣 陈万军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 逆导型IGBT 电压回跳 半超结 折中特性 反向恢复
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3980字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0610

摘要

提出了一种具有三明治集电极结构的半超结RC-IGBT (SSS-RC-IGBT),该结构通过在N+buffer层和P+/+集电区之间引入高阻N-layer,增大了集电极短路电阻.通过引入集电极侧的半超结,减小了漂移区的电阻,从而消除了器件的电压回跳现象.Sentaurus仿真结果表明,本结构中N/P柱的柱深为70 μm,N/P柱的掺杂浓度为3×1015 cm-3.高阻N-layer的厚度为5μm,掺杂浓度为5×1013 cm-3时,器件不会发生电压回跳现象.由于所提出的器件能够完全开启且具有更高的注入效率,器件正向导通压降降低了9.7％.在正向导通电流密度为100 A/cm2的条件下进行关断时,器件的关断损耗降低了30.6％.同时,器件具有更优的Vce-Eoff折中特性和反向恢复特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	128	4.0	11.0
2	刘超	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	59	4.0	7.0
3	肖紫嫣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	夏云	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	12	1.0	3.0