中子发生器用TiMo合金薄膜氚靶制备及储氢性能研究

• 作者: 孙宁恺 张万里 王亮 艾梦婷 蒋洪川
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 氚靶 TiMo合金薄膜 磁控溅射技术 储氢量 抗粉化性能 容量法
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 新能源材料与器件专辑
• 页码范围: 85-89
• 页数: 5页
• 分类号: O571.53
• 字数: 2588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0172

摘要

针对中子发生器用氚靶存在的储氢量小、 易粉化、 工作温度低等问题,采用磁控溅射法制备TiMo合金薄膜氚靶.氚靶是由?15 mm×2 mm的Cu基底,厚度为200 nm的Au阻挡层,厚度为2μm的TiMo合金薄膜储氢层以及厚度为20 nm的Ta保护层组成.其中,采用镶嵌靶调节TiMo合金薄膜中Mo的含量,采用容量法对氚靶样品的储氢含量进行测试,重点研究了Mo含量、 基底温度和测试温度对TiMo合金薄膜氚靶储氢量的影响.结果表明,随着Mo含量的提高,氚靶样品的抗粉化性能和薄膜附着力逐渐提高.随着基底温度的升高,样品的储氢能力逐渐提高.TiMo合金薄膜氚靶样品的优化制备工艺参数为:基底温度300℃,Mo含量为40％(质量分数).优化工艺制备的样品具有优异的高温储氢性能.在200～280℃的测试温度范围内,随着测试温度的升高,氚靶的储氢量逐渐提高,最大储氢量达到12.95％(质量分数).经过5次吸放氢试验后,氚靶表面未出现粉化脱落的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	王亮	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	41	4.0	5.0
5	艾梦婷	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	孙宁恺	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0