利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化

• 作者: 仇猛淋 华青松 王广甫 王庭顺 罗长维 赵国强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 离子激发发光 退火 ZnO
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 专题:载能离子束技术
• 页码范围: 26-31
• 页数: 6页
• 字数: 3117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20200029

摘要

在北京师范大学GIC4117 2 × 1.7 MV串列加速器上,利用离子激发发光(ions beam induced luminescence,IBIL)技术研究了2 MeV H+注入ZnO的缺陷变化及473和800 K退火处理对缺陷的恢复作用.实验表明,在2 MeV H+的辐照下,晶体内部产生的点缺陷会快速移动、聚集成团簇,从而抑制发光.473 K退火后的受辐照ZnO晶体内仍存在着大量的缺陷和团簇,而这些缺陷和团簇作为非辐射中心抑制着ZnO晶体的发光.800 K的退火处理可以显著地分解辐照过程中形成的团簇,也可以帮助点缺陷回到晶格位置,从而减少晶体内部的不平衡缺陷,提高晶体的结晶度,使退火后的受辐照ZnO样品IBIL光强大幅度增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王广甫	北京师范大学核科学与技术学院射线束教育部重点实验室	45	220	7.0	13.0
3	仇猛淋	北京师范大学核科学与技术学院射线束教育部重点实验室	6	1	1.0	1.0
6	罗长维	北京师范大学核科学与技术学院射线束教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
7	王庭顺	北京师范大学核科学与技术学院射线束教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
8	赵国强	北京师范大学核科学与技术学院射线束教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0