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Zn离子注入和退火对ZnO薄膜光学性能的影响
Zn离子注入和退火对ZnO薄膜光学性能的影响
作者:
余华军
向霞
居勇峰
张晓艳
祖小涛
薛书文
袁兆林
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ZnO薄膜
离子注入
退火温度
吸收
光致发光
摘要:
利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,将能量56 keV、剂量1×1017 cm-2的Zn离子注入到薄膜中.离子注入后,薄膜在500~900 ℃的氩气中退火,利用X射线衍射谱、光致发光谱和光吸收谱研究了离子注入和退火对ZnO薄膜结构和光学性质的影响.结果显示:衍射峰在约700 ℃退火后得到恢复;当退火温度小于600 ℃时,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移,超过600 ℃时,吸收边随着退火温度的提高发生红移;近带边激子发光和深能级缺陷发光都随退火温度的提高而增强.
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离子注入
疏水性
形貌
真空退火和氢退火对ZnO:B薄膜电学和光学性能的影响
ZnO薄膜
低压化学气相沉积
导电率
透光率
退火气氛
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
Zn离子注入和退火对ZnO薄膜光学性能的影响
来源期刊
强激光与粒子束
学科
物理学
关键词
ZnO薄膜
离子注入
退火温度
吸收
光致发光
年,卷(期)
2007,(11)
所属期刊栏目
粒子束技术
研究方向
页码范围
1918-1922
页数
5页
分类号
O484.41
字数
2823字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
居勇峰
电子科技大学物理电子学院
6
21
3.0
4.0
2
祖小涛
电子科技大学物理电子学院
111
627
12.0
17.0
3
余华军
电子科技大学物理电子学院
5
28
4.0
5.0
4
向霞
电子科技大学物理电子学院
27
116
6.0
9.0
5
薛书文
电子科技大学物理电子学院
10
80
5.0
8.0
6
袁兆林
电子科技大学物理电子学院
6
16
3.0
4.0
7
张晓艳
电子科技大学物理电子学院
2
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
离子注入
退火温度
吸收
光致发光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
主办单位:
中国工程物理研究院
中国核学会
四川核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-4322
CN:
51-1311/O4
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919-805信箱
邮发代号:
62-76
创刊时间:
1989
语种:
chi
出版文献量(篇)
9833
总下载数(次)
7
总被引数(次)
61664
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