SiC将会是分立器件和模块共存的市场

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 分立器件 氮化镓 高功率密度 GAN 高温应用 智能电器 光伏逆变器
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TN3

摘要

随着半导体材料步入第三代半导体时代,行业巨头在SiC/GaN器件和模块上早已布局多年。事实上,从特性上来讲,SiC和GaN的优势是互补的,应用覆盖了电动汽车(EV)、新能源、光伏逆变器、智能电器、医疗、通信射频。不过从细微差别来说,GaN(氮化镓)晶体管适合于高效率、高频率、高功率密度要求的应用场合;碳化硅(SiC)由于热导率是GaN的三倍以上,因此在高温应用领域具有优势,因此多用于1200V以上高温大电力领域。