强磁场对碱液腐蚀制备多晶硅表面织构的影响

• 作者: 宋建宇 李想 沈龙海 肇伟懿 贾子凡 齐东丽
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 强磁场 碱液腐蚀 多晶硅 洛伦兹力 表面织构
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: 表面功能化
• 页码范围: 120-125
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2020.07.015

摘要

目的 在碱液腐蚀制备多晶硅表面织构过程中施加具有方向性的强磁场,研究强磁场对多晶硅表面织构减反射的影响.方法 在非磁场和1、2、3、4 T磁场作用下,用NaOH溶液腐蚀制备多晶硅表面织构,用电子天平称量表征硅片腐蚀程度,用奥林巴斯LEXT OLS4100共聚焦显微镜观察多晶硅片表面形貌,用Ocean Optics USB4000光谱仪测量多晶硅片的反射率,用WT-1200硅片测试仪测量样品少子寿命.结果 随磁感应强度的增大,多晶硅片的腐蚀程度增强,多晶硅片腐蚀程度由非磁场条件下处理的2.1％,变化为磁感应强度为1 T时的2.8％,2 T时的3.9％,3 T时的5.3％,到4 T时的6.3％,同时多晶硅表面织构变得均匀且细腻.多晶硅片的反射率随磁感应强度的增大而降低,由非磁场条件下处理硅片的23.9％,变化为磁感应强度为1 T时的19.2％,2 T时的17.5％,3 T时的15.9％,到4 T时的14.5％.另外,随磁感应强度的增大,多晶硅片少子寿命略有降低.结论 在碱液腐蚀制备多晶硅表面织构过程中施加强磁场,多晶硅片腐蚀程度增强的同时,表面织构的微结构更趋合理,减反射效果显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈龙海	沈阳理工大学理学院	23	41	4.0	5.0
2	李想	沈阳理工大学理学院	5	10	2.0	3.0
3	齐东丽	沈阳理工大学理学院	10	11	1.0	3.0
4	宋建宇	沈阳理工大学理学院	8	6	1.0	2.0
5	肇伟懿	沈阳理工大学理学院	2	1	1.0	1.0
6	贾子凡	沈阳理工大学理学院	2	1	1.0	1.0