2.75μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器

• 作者: 宿星亮 尚金铭 张一 张宇 徐应强 李森森 杨成奥 柴小力 牛智川 袁野 谢圣文
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 锑化物 五元势垒量子阱 中红外波段
• 年，卷（期）: 2020,（7）
• 所属期刊栏目: “半导体激光器”专题
• 页码范围: 295-299
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202047.0701026

摘要

设计制备了GaSb基Ⅰ型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2.75 μm.五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2.75 μm波段.通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上设计并制备了腔长为1.5 mm、脊宽为50 μm、中心波长为2.75 μm的法布里-珀罗腔结构的激光器;所设计激光器可以实现室温连续激射,其最大输出功率为60 mW,阈值电流密度为533 A·cm-2.