4500V沟槽栅IGBT芯片的设计与研制

• 作者: 刘江 李立 王耀华 金锐 高明超
• 来源期刊: 中国电力
• 关键词: 沟槽栅 IGBT 仿真 衬底 载流子存储层 假栅结构
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 国家"十三五"智能电网重大专项专栏:(三)高压大功率IGBT及应用技术专栏
• 页码范围: 30-36
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.11930/j.issn.1004-9649.202006300

摘要

为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4500V沟槽栅IGBT芯片的研制.使用TCAD仿真软件,对4500V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析,明确各方面设计与芯片性能的关系.根据总体设计目标,确定相应的芯片结构和工艺参数,并对4500V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证.验证结果显示:4500V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期,芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化.