900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制

• 作者: 周国 张力江 段雪 谭永亮
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基二极管 异质结 阴阳极间距
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 宽禁带电力电子器件的应用基础专辑
• 页码范围: 24-26
• 页数: 3页
• 分类号: TN31
• 语种: 中文

摘要

制作了不同阳极尺寸和阴阳极间距900 V/10 A硅(Si)基AlGaN/GaN二极管,研究了不同阴阳极间距对二极管正向导通和反向关断特性的影响.不同规格的二极管其开启电压均为0.7 V@1 mA/mm,其中正向导通电流最大为13.8 A@1.5 V,反向击穿电压均为900 V@10 μA/mm.同时设计制作了小尺寸AlGaN/GaN二极管,通过测试发现小尺寸二极管的比导通电阻要优于大尺寸二极管,主要原因为大尺寸二极管上的金属布线引入了一部分附加电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭永亮		1	0	0.0	0.0
2	张力江		1	0	0.0	0.0
3	段雪		1	0	0.0	0.0
4	周国		1	0	0.0	0.0