氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望

• 作者: 刘南柳 姜元希 张国义 张法碧 王琦
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 单晶衬底 同质外延 氨热法 钠流法
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 2038-2045
• 页数: 8页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文

摘要

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表.因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料.采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能的根本途径.本文综述了GaN单晶衬底制备的氢化物气相外延技术、三卤化物气相外延技术、氨热法及助熔剂法(钠流法)的研究进展,并对未来可能的发展方向提出了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张法碧		22	41	5.0	6.0
2	王琦		9	30	3.0	5.0
3	姜元希		1	0	0.0	0.0
4	刘南柳		1	0	0.0	0.0
5	张国义		1	0	0.0	0.0