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Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks
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摘要：
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退火对EBE,IBS和ALD沉积HfO2薄膜的抗激光损伤性能影响
HfO2薄膜
激光损伤阈值
电子束蒸发
离子束溅射
原子层沉积
化学气相沉积 HfO2涂层的制备及性能
化学气相沉积
氧化铪涂层
热力学计算
发射率
抗热震性
TiN/TiCN/Al2O3/TiN CVD多层涂层硬质合金的氧化行为
TiN/TiCN/TiN
TiN/TiCN/Al2O3/TiN
CVD多层涂层硬质合金
氧化行为
ALD淀积温度对HfO2高k栅介质材料特性的影响
高k栅介质
二氧化铪
原子层淀积
生长温度
氧化层缺陷
内容分析
关键词云
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文献信息
| 篇名 | Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | red Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks ALD FinFET | ||
| 年，卷（期） | 2020,（2） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 248-250 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TN386 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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red
Influence of an ALD TiN capping layer on the PBTI characteristics of n-FinFET with ALD HfO2/TiN-capping/TiAl gate stacks
ALD
FinFET
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中国科学
主办单位：
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月刊
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CN：
CN 11-1789/N
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