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基于GaN-HEMT器件反激电源的设计
基于GaN-HEMT器件反激电源的设计
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摘要：
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AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性
氮化镓
高电子迁移率器件
高温性能
采用碳纳米管改善GaN HEMT器件结构散热
GaN HEMT
碳纳米管
倒装
散热
基于GaN-HEMT并联的航空电机驱动系统设计研究
航空电机驱动器
宽禁带器件
数字控制器
基于GaN HEMT的Doherty功率放大器设计
功率放大器
GaNHEMT
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电子世界
主办单位：
中国电子学会
出版周期：
半月刊
ISSN：
1003-0522
CN：
11-2086/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市
邮发代号：
2-892
创刊时间：
1979
语种：
chi
出版文献量（篇）
36164
总下载数（次）
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