基于堆叠式结构的高压功率器件开发

• 作者: 姚剑锋
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 堆叠式 封装 工艺设计
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.10.012

摘要

VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点并广泛应用于电源电路中,针对目前在国内VDMOS器件生产中封装技术不能满足绝缘要求的问题进行了研究,提出了一种VDMOS器件堆叠式内绝缘封装技术,使用这种封装方法,能够很好地提升期间的散热性能与绝缘强度.并对功率器件芯片进行了优化设计,提高了产品的综合性能,设计生产了具备自有绝缘功能、良好散热性能、并可以承载更大的功率损耗的BRCS740R和BRCS840D系列产品,填补了国内行业的生产空白.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚剑锋		7	0	0.0	0.0