基于硅转接板工艺的宽带射频芯片三维异构集成

• 作者: 王勇 韦炜 杨栋 孙彪 张兴稳 张有明 黄风义
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 关键词: 硅基转接板 混频 倍频 多功能芯片
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: TN389
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2021.01.002

摘要

基于硅转接板工艺实现了超宽带混频微系统组件的三维异构集成,该混频组件由混频多功能芯片和倍频多功能芯片级联而成.基于晶圆级金-金键合工艺实现了四层高阻硅基板堆叠封装.每一层均采用硅通孔(TSV)技术,从而实现信号之间的互连.单片集成微波芯片(MMIC)嵌入在硅腔内,硅基滤波器集成在高阻硅衬底上.硅基转接板上的互连线、腔体以及滤波器采用AutoCAD进行设计,并采用HFSS进行三维电磁场仿真.根据测试结果,混频多功能芯片的射频频率为40～44 GHz,中频频率可覆盖Ku频段,尺寸为10 mm×11 mm×1 mm.倍频多功能芯片工作在16～20 GHz频段,对基波信号的抑制优于50 dB,对二次谐波信号的抑制优于40 dB,尺寸为8 mm×8 mm×1 mm.级联后完全组装的混频组件可实现优于-50 dBc的杂散抑制比和优于15 dB的增益.