单晶硅微铣削表面粗糙度实验研究

• 作者: 许顺杰 曹自洋 王浩杰
• 来源期刊: 苏州科技大学学报（工程技术版）
• 关键词: 微铣削 单晶硅 正交实验 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 页码范围: 75-80
• 页数: 6页
• 分类号: TH161
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-0679.2021.02.011

摘要

单晶硅是一种难加工材料,为优化单晶硅微铣削工艺参数,在水基切削液条件下,采用直径0.5 mm的金刚石涂层微铣刀,在单晶硅(100)晶面[100]晶向进行全槽铣削加工,基于正交实验研究每齿进给量、主轴转速和轴向切削深度对表面粗糙度的影响规律,分析单晶硅表面形貌,结合未变形切削厚度研究表面粗糙度变化规律.结果 表明:表面粗糙度随着最大未变形切削厚度的增大而增大;影响表面粗糙度的主次因素依次为每齿进给量、主轴转速、轴向切深,在加工参数f=0.05～0.4 μm/z,n=l0000～30000 gmin,ap=5～15 μm时,获得的最优工艺参数为fz=0.05 μm/z,n=10000 r/min,ap=5 μm,此时单晶硅表面粗糙度为Ra=0.138 μm.