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摘要:
利用微机械剥离法制备了 α-In2Se3基柔性晶体管,本文研究了该晶体管在60Co γ射线辐照至吸收剂量为100 krad(Si)时的光电性能,基于对α-In2Se3纳米片元素组成、表面形貌、声子模式及畴结构的精细表征,分析了 γ射线辐照该晶体管的损伤机制,并研究了通过弯曲引入的面内应变对光电性能的调控作用,通过计算载流子浓度的变化,探讨了应变调控光电性能的机理.结果表明,γ射线辐照诱导产生的缺陷可能是导致α-In2Se3基柔性光电晶体管性能退化的主要原因;在压缩应变为-0.402%、光功率密度为14.34 mW·cm-2时,辐照后α-In2Se3基柔性晶体管的光响应性为辐照后无应变时的8.26倍,证明静态应变调控是提高辐照环境下基于2维铁电材料光电探测器光响应性能的有效途径.
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文献信息
篇名 α-In2Se3基光电晶体管的60Co γ射线辐射效应及应变调控
来源期刊 现代应用物理 学科
关键词 α-In2Se3 晶体管 60Co γ射线辐照 光电响应 应变调控
年,卷(期) 2021,(2) 所属期刊栏目 辐射效应及加固技术|Radiation Effects and Hardening
研究方向 页码范围 100-108
页数 9页 分类号 O59
字数 语种 中文
DOI 10.12061/j.issn.2095-6223.2021.020605
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研究主题发展历程
节点文献
α-In2Se3
晶体管
60Co
γ射线辐照
光电响应
应变调控
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代应用物理
季刊
2095-6223
61-1491/O4
大16开
西安市69信箱15分箱
2010
chi
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533
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