一种新的调节分栅闪存存储器擦除能力的方法

• 作者: 康军 曹子贵
• 来源期刊: 集成电路应用
• 关键词: 闪存存储器 环绕氧化物 分栅单元 擦除能力
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与设计|Research and Design
• 页码范围: 12-13
• 页数: 2页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2021.04.004

摘要

基于分栅闪存存储器的擦除能力是评估其单元性能的关键参数,阐述现有制程调节分栅闪存存储器擦除能力的方法.提供一种新的方法通过控制侧壁氧化物的剩余厚度来调节分栅快闪存储器擦除能力,并讨论其优势所在.