铝掺杂量对于铝锌氧薄膜晶体管的电学性能的影响

• 作者: 王冶 王超 杨帆
• 来源期刊: 吉林建筑大学学报
• 关键词: 薄膜晶体管(TFT) 铝掺杂量 铝锌氧(AZO) 电学性能
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 信息科技|Information science & technology
• 页码范围: 83-88
• 页数: 6页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0185.2021.02.017

摘要

本文利用磁控溅射法在硅片上制备了不同铝掺杂量的铝锌氧薄膜晶体管,并研究了铝掺杂量对铝锌氧薄膜晶体管电学性能的影响,可以看出不同铝掺杂量对于薄膜晶体管电学性能存在影响,当Al掺杂功率为15 W时,薄膜晶体管开关比达到5.7×105,亚阈值摆幅为3 V·dec-1,阈值电压3 V,迁移率1.6 cm2.(V·s)-1.