高性能超薄In-Ga-Zn-O突触晶体管制备

• 作者: 杨倩 杜世远 罗榕思
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 超薄 金属氧化物薄膜晶体管 突触
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理|Device Fabrication and Physics
• 页码范围: 250-256
• 页数: 7页
• 分类号: TN321+.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20200296

摘要

近年来,二维材料(2D materials)突触晶体管器件由于其维度低、可同时读写操作、效率高等优势,受到了研究者的广泛关注.然而,由于二维材料的工艺兼容性、重复性以及复杂的转移过程,它的实现仍然是一个巨大的挑战.本文采用简单的提拉法工艺,实现了超薄铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn-O,IGZO)半导体层(小于8 nm)的突触晶体管,其工作电压低至3 V;并成功地模拟了重要的生物突触行为,包括兴奋性后突触电流(EP-SC)、双脉冲易化(PPF)以及突触长程增强(LTP)等.在超薄半导体薄膜条件下,由于缺陷的增强效应和栅电压对超薄半导体层可控性的提高,有效提升了突触器件的记忆保持能力,使其长程性能得到增强.这种改善突触晶体管长程特性的方式,为利用普通材料制作高性能二维突触晶体管提供了一种简单易行的方法.