真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究

• 作者: 刘保亭 史守山 娄建忠 张二鹏 贾长江 闫小兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In-Ga-Zn-O薄膜 退火温度 磁控溅射 光学带隙
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 页码范围: 2304-2308
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3136字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火.研究了不同退火温度对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着退火温度的增加,薄膜的电阻率先减小后增大.透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500～ 800 nm可见光区平均透过率超过80％,且在350 nm附近表现出较强的紫外吸收特性.经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小,350 ℃最大达到3.91 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
2	娄建忠	河北大学电子信息工程学院	25	64	5.0	6.0
3	闫小兵	河北大学电子信息工程学院	22	70	4.0	8.0
4	贾长江	河北大学电子信息工程学院	7	27	2.0	5.0
5	史守山	河北大学电子信息工程学院	6	11	2.0	3.0
6	张二鹏	河北大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0