密封中子管氘-氘产额及二次电子抑制

• 作者: 刘国财 张培旭 刘志珍 李玮瑛 杨洪广
• 来源期刊: 核化学与放射化学
• 关键词: D-D中子管 热子电流 阳极高压 靶极高压 二次电子抑制
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 氚科学与技术|Tritium Science and Technology
• 页码范围: 301-308
• 页数: 8页
• 分类号: TL58
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/hhx.2021.43.03.0301

摘要

中子管的工作参数是影响中子产额的重要因素.为了更准确地调控D-D中子管的中子产额,对中子管的工作参数与产额关系进行了研究,同时为了提高中子管束流品质及寿命,对中子管的二次电子抑制进行实验.采用控制参数变量的方法分别研究了D-D中子管的热子电流、阳极高压、靶极高压对中子产额的影响,以及二次电子抑制电阻阻值与靶极电流之间的关系.结果表明:中子产额随着热子电流的增加而增加,当靶极高压为-80 kV、阳极高压为2.6 kV时,热子电流的最佳调控范围为290～305 mA;阳极高压与中子产额呈非线性关系,最佳阳极高压需要高于2.6 kV;靶极高压升高,中子产额随之增加,而且高压越高产额增加越快,靶极高压最佳工作范围为-120～-100 kV;D-D中子管二次电子抑制电阻阻值为8.7 MΩ或者抑制电压为403 V时,便可以完全抑制住二次电子.中子管的工作参数与中子产额的关系为今后中子管产额稳定性自调节可提供参考,二次电子抑制实验为抑制二次电子电流的产生提供依据.