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摘要:
采用倾斜溅射工艺制备了一种Cr/Ti/Ni三层金属吸气剂薄膜,其中Ti薄膜作为主吸气层,Cr薄膜为沉积在Ti下方的阻挡层,Ni薄膜为覆盖在Ti上方的保护层.在350℃高温激活后,吸气剂初始吸气速率大于100 cm3·s-1·cm-2,30 min内吸气容量大于40 Pa·cm3·cm-2,接近国外先进吸气剂的吸气性能指标.利用一种特殊的立体掩膜在微电子机械系统(MEMS)盖帽深腔内制备吸气剂,并将盖帽用于陀螺仪的晶圆级真空封装.对封装好的陀螺仪芯片进行微腔室残余气体分析,陀螺仪内部封装真空度达到1 Pa量级,气体成分均为惰性气体,表明吸气剂在真空封装中发挥了重要作用.
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文献信息
篇名 Ti基吸气剂制备及其在MEMS晶圆级真空封装中的应用
来源期刊 微纳电子技术 学科
关键词 微电子机械系统(MEMS) 晶圆级封装 陀螺仪 Ti基吸气剂 立体掩膜
年,卷(期) 2021,(5) 所属期刊栏目 加工、测量与设备|Processing, Measurement and Equipment
研究方向 页码范围 439-445
页数 7页 分类号 TN104.8|TN305.94
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2021.05.012
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研究主题发展历程
节点文献
微电子机械系统(MEMS)
晶圆级封装
陀螺仪
Ti基吸气剂
立体掩膜
研究起点
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微纳电子技术
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