寄生参数对并联SiC MOSFET电流不均衡的影响

• 作者: 张永刚 宁平凡 刘婕 王迪迪 肖宁如 李玉强
• 来源期刊: 聊城大学学报（自然科学版）
• 关键词: 寄生电感 寄生电容 并联SiC MOSFET 电流不均衡
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 光纤通信与激光器件研究|Fiber-Optic Communication and Laser Devices Research
• 页码范围: 8-14
• 页数: 7页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.19728/j.issn1672-6634.2021.05.002

摘要

SiC MOSFET并联使用是提高系统功率密度的有效手段.在高频高压环境中并联使用的SiC MOSFET,由于寄生电感,寄生电容等因素的差异,导致并联电流难以实现均衡.为分析导致电流不均衡现象的影响因素,本文采用CREE公司官网所提供的spice模型搭建了相关仿真测试电路.基于数据手册中所提供的器件参数,分别对寄生电容和寄生电感等参数进行差异化设置,利用PSpice软件进行仿真.分析了在负载电压为600 V时,不同寄生参数对动态和静态电流不均衡的影响程度.最后设计了一种基于阻抗平衡联合磁芯电感的方法对并联SiC MOSFET动静态电流不均衡进行抑制,有效抑制了并联SiC MOS-FET电流不均衡现象的发生.