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三维封装硅通孔铜互连电镀工艺研究进展
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摘要：
综述了近年来芯片三维封装中硅通孔(TSV)互连技术中电镀铜工艺的研究进展及存在的问题,指出TSV互连技术今后的研究方向.
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研究主题发展历程
节点文献
芯片
硅通孔
铜互连
电镀
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综述
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
电镀与涂饰
主办单位：
广州市二轻工业科学技术研究所
出版周期：
半月刊
ISSN：
1004-227X
CN：
44-1237/TS
开本：
大16开
出版地：
广州市科学城科研路6号
邮发代号：
46-155
创刊时间：
1982
语种：
chi
出版文献量（篇）
5196
总下载数（次）
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