ZnO及Ag/ZnO纳米薄膜的制备及电学性质研究

• 作者: 王梦琪 刘晓彤 姚成宝 物利娟
• 来源期刊: 哈尔滨师范大学自然科学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 Ag/ZnO 纳米复合薄膜 电学性质
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 页码范围: 65-70
• 页数: 6页
• 分类号: O472+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5617.2021.06.011

摘要

利用磁控溅射技术制备了ZnO纳米薄膜(ZnO NFm)和Ag复合ZnO纳米薄膜(Ag/ZnO NFm),并对其表面形貌、微观结构、组分和电学性能进行了研究.结果表明,Ag/ZnO纳米薄膜中大多数Ag以AgxOy或合金的形式存在,由于Ag替位ZnO中的Zn2+造成了衍射角的偏移.同时,ZnO纳米薄膜、Ag/ZnO纳米薄膜呈现出沿C轴择优生长特点.Ag的复合使得ZnO纳米薄膜的霍尔迁移率由160 cm2·V-1·S-1增加至673 cm2·V-1·S-1、电阻率由2.329×10-4Ω·cm减小为1.018×10-4Ω·cm、载流子浓度由1.68×1020降低为+9.12×1019 cm-3.可见,Ag/ZnO复合纳米薄膜在构建多功能电学器件领域中具有很好的应用前景.