一种基于位线电荷循环的低功耗SRAM阵列设计

• 作者: 张瀚尊 贾嵩 杨建成 王源
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 关键词: SRAM 位线电荷循环 读写辅助
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 页码范围: 815-822
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2021.039

摘要

为了降低静态随机存储器(SRAM)的动态功耗,提出一种基于位线电荷循环的读写辅助电路的SRAM阵列.与传统设计性比,辅助电路中转和保存了在读写操作中本该被直接泄放掉的位线电荷,并重新用于下一个周期的位线充电.提出的SRAM存储器采用标准14 nm FinFET spice模型搭建,电源供电电压为0.8 V.仿真结果表明,与传统设计相比,提出的存储阵列的功耗可以降低23％～43％,并将SNM和WNM至少提高25％和647.9％.