面向先进光源的硅像素传感器保护环结构仿真研究

• 作者: 孙朋 傅剑宇 许高博 丁明正 翟琼华 殷华湘 陈大鹏
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PIN二极管 硅像素传感器 保护环 耐高电压 计算机辅助设计
• 年，卷（期）: 2021,（12）
• 所属期刊栏目: 遥感与传感器|Remote Sensing and Sensors
• 页码范围: 186-193
• 页数: 8页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20215012.1228002

摘要

硅像素传感器上的保护环结构有利于提高传感器的耐高电压性能,为评估保护环结构对硅像素传感器的保护效果,仿真分析了三种保护环结构.通过计算机辅助设计技术对三种保护环结构进行二维建模,利用TACD内置的电学模型对三种保护环结构的I-V特性进行了仿真.研究结果表明,电流收集环会提高像素的耐高电压性能,同时不等间距保护环、保护环的内外等距离Al悬挂以及多个保护环结构有利于进一步提高传感器的击穿电压.