CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究

• 作者: 唐晨 孙伟锋 陆生礼
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 寄生双极型晶体管 保护环 闩锁 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 109-111
• 页数: 3页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2006.04.052

摘要

闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效.针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch-up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性.