CMOS工艺中抗闩锁技术的研究

• 作者: 华梦琪 朱琪
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 闩锁 寄生BJT PNPN结构
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 字数: 3404字
• 语种: 中文

摘要

伴随着CMOS工艺技术的发展，CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流，而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用，使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果，深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式，并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施，以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱琪		5	7	1.0	2.0
2	华梦琪		4	6	1.0	2.0