车规SiC MOSFET极限寿命评估后漏电失效机理

• 作者: 张宇隆 黄凯 黄以明 郑广州
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 漏电 失效机理
• 年，卷（期）: 2021,（12）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件和电力电子系统的可靠性|Reliability of Power Electronic Devices and Power Electronic Systems
• 页码范围: 40-42,54
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.12.011

摘要

针对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)失效机理的研究,此前主要集中在雪崩失效机理和短路失效机理方面,而对其在极限应力寿命试验后的失效机理研究较少.针对某国产车规SiC MOSFET在高温高湿反偏(H3TRB)和温度循环(TC)极限应力下的漏电失效模式,通过I-U曲线测试、超声扫描检测、漏电/缺陷点定位和失效物理分析等方法,对其失效机理进行了剖析.研究发现衬底材料缺陷和芯片贴片不佳分别导致了器件在H3TRB和TC试验后发生失效.国产SiC MOSFET工艺尚不够成熟,衬底材料缺陷和芯片贴片不佳是两种典型的工艺薄弱环节,后续国产同类器件应加以识别和改进.