PECVD氮化硅薄膜制备工艺研究

• 作者: 施秉旭
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（14）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 27-28
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

氮化硅具有良好的介电特性(介电常数低、损耗低)、高绝缘性,高致密性的氮化硅对杂质离子有很好的阻挡能力.PECVD法工艺复杂,沉积过程的控制因素较多,沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响.在PECVD淀积过程中必须对多个参数进行控制,因此,优化沉积条件是十分重要的.