射频磁控溅射ITO薄膜对TOPCon太阳电池光电性能的影响

• 作者: 郭永刚 王冬冬 陈丹 石惠君 张敏 李得银
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池 射频(RF)磁控溅射 氧化铟锡(ITO)薄膜 多晶Si 退火
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 器件与技术|Devices and Technology
• 页码范围: 19-24,83
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2022.01.003

摘要

通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响.测试多晶Si对称结构沉积ITO薄膜前后及退火后的隐开路电压和反向饱和电流密度等参数,研究ITO薄膜对n型晶硅太阳电池钝化接触的影响.研究结果表明:在纯氩气氛围下、溅射功率为200 W、溅射时间为15 min、转速为10 r/min、工作气压为1 Pa,在250℃退火10 min条件下,ITO薄膜光电性能最佳,退火后的电阻率为2.863×10-4 Ω·cm,退火后的隐开路电压为721 mV,n型隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池平均光电转换效率为23.6％.