SiO2空心球-GO复合物提高聚酰亚胺复合薄膜的介电及力学性能

• 作者: 葛静 周宏 张宏达 涂雪松
• 来源期刊: 绝缘材料
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅空心球 氧化石墨烯 聚酰亚胺 介电性能 力学性能
• 年，卷（期）: 2023,（11）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 25-29
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2022.11.004

摘要

采用改进的 Hummers法制备氧化石墨烯（GO），以 γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷（KH560）为改性剂制得改性 GO（mGO）。采用改进的 Stöber 法制备二氧化硅空心球（SHS），以 3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）为改性剂制得改性 SHS（mSHS）。将 mGO和 mSHS复合制备 mSHS-mGO复合物，再以 4,4′-二胺基二苯醚（ODA）和均苯四甲酸二酐（PMDA）为单体，采用原位聚合法制备 mSHS-mGO/聚酰亚胺（PI）复合薄膜，研究 mSHS-mGO 复合物对 PI薄膜力学和介电性能的影响。结果表明：5%mSHS-0.3%mGO/PI复合薄膜的介电常数为2.26（105 Hz），相比于纯PI薄膜（3.04，105 Hz）降低了26%。3%mSHS-0.3%mGO/PI复合薄膜的拉伸强度和断裂伸长率为86.92 MPa和13.87%，分别比纯PI薄膜（79.00 MPa和9.00%）提高了10%和54%。