原文服务方: 原子能科学技术       
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保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响
保护环
深亚微米
器件模拟
单粒子辐照
寄生双极效应
28 nm超大规模FPGA的BRAM单粒子效应测试方法研究
现场可编程门阵列
单粒子效应
块随机读取存储器
敏感位定位
测试方法
应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响
应变Si
NMOS器件
总剂量辐射
单粒子效应
漏极瞬态电流
漏极收集电荷
航天器空间环境协和效应研究
空间环境
协和效应
航天器
模拟
诱导
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 130nm7TSOISRAM总剂量与单粒子协和效应研究
来源期刊 原子能科学技术 学科
关键词
年,卷(期) 2024,(2) 所属期刊栏目 技术及应用
研究方向 页码范围 257-263
页数 7页 分类号
字数 语种 中文
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期刊影响力
原子能科学技术
月刊
1000-6931
11-2044/TL
大16开
北京275信箱65分箱
1959-01-01
中文
出版文献量(篇)
7198
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总被引数(次)
27955
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