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JEET区宽度对SICMOSFET单粒子效应的影响
原文服务方：
原子能科学技术
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期刊影响力
原子能科学技术
主办单位：
中国原子能科学研究院
出版周期：
月刊
ISSN：
1000-6931
CN：
11-2044/TL
开本：
大16开
出版地：
北京275信箱65分箱
邮发代号：
创刊时间：
1959-01-01
语种：
中文
出版文献量（篇）
7198
总下载数（次）
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总被引数（次）
27955
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