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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】国家科技部部长万钢指出了"十二五"时期我国科技发展将遵循的五项原则和基本思路。我国科技发展将遵循的五项原则为:继续坚持创新导向;继续坚持需求牵引;继续坚持统筹兼顾,统筹政府引导和发挥市...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】国务院总理温家宝、中央军委主席胡锦涛签署第582号国务院、中央军委令,公布《武器装备质量管理条例》。(以下简称《条例》)。《条例》共七章61条。根据《中华人民共和国国防法》和《中华人民...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】彩虹集团投资建设的彩虹(合肥)光伏玻璃项目日前正式开工,建设期一年,计划2011年底建成投产。据了解,彩虹(合肥)光伏项目一期投资19.8亿港元,将建设3座日熔化能力为500吨的全氧燃...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】日前,新余吉阳控股股份有限公司签约总投资50亿元的高效晶硅太阳能电池项目落户安徽天长。据了解,此次在安徽天长建设年产能1920 MW高效晶硅太阳能电池生产线项目,占地面积约700亩,将...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】上海华虹NEC电子有限公司(以下简称"华虹NEC")2010年12月28日宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.18μm BCD(Bipolar CMOSDMOS)——BCD180...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】Vishay推出采用PowerPAIR 6 mm×3.7 mm封装和TrenchFET GenⅢ技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT,新器件比其前一...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】Maxim推出专为UHF和VHF移动电视应用设计的低噪声放大器(LNA)MAX2664/MAX2665。器件采用0.86 mm×0.86 mm、焊球间距为0.4 mm的4引脚晶片级封装...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】松下半导体(Panasonic Semiconductor)开发出了可将Si基板上形成的GaN功率晶体管的耐压提高至5倍以上的技术。还有望实现300 V以上的耐压。硅基板上的GaN功率...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学(Universite de Savoie)及意法半导体(STMicroelectronics)共同分析了在带有65 nm工艺CMOS电路的硅晶圆...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】Cree的SiC MESFET及GaN(on SiC)HEMT微波功率放大器件:SiC MESFET/CRF240xx:频率为DC～2.7 GHz、工作电压为28～48 V,输出功率为...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】TriQuint半导体公司日前宣布了一项新的晶圆代工工艺,新工艺将使具有成本效益的毫米波应用成为可能。称为TQP15的150 mm砷化镓(GaAs)代工生产工艺专门针对Ka波段,有助于...
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14. 赛灵思发布堆叠硅片互联技术刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】赛灵思公司(Xilinx)宣布推出堆叠硅片互联技术,即通过在单个封装中集成多个FPGA芯片,实现突破性的容量、带宽和功耗优势,以满足那些需要高密度晶体管和逻辑,以及需要高处理能力和带宽...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16 Mb MRAM,进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】ANADIGICS公司研发的AWC6323、AWU6601功率放大器(PA)波应用于三星公司新型产品GALAXY Tab。AWC6323是ANADIGICS公司的一款3×5×1 mm的...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】飞思卡尔目前提供77 GHz SiGe集成芯片组,应用于汽车雷达系统中。Xtrinsic雷达芯片组包括一个发射器和带集成锁相环(PLL)的多通道接收器。公司的77 GHz技术通过发送串...
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18. 全球精度最高的全硅CMOS振荡器刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】混合信号半导体解决方案供应商IDT公司(Integrated Device Technology,Inc.)宣布,推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】据报道,美国DARPA于2010年9月10日发布关于"极端RF频谱环境下通信(CommEx)"的项目。该项目目标是研发创新型自适应技术,将充分利用所有自适应干扰压制可利用的领域。研究在...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】据报道,美国海军空战中心武器部(NAWCWD)急需一种便携式闭环作战射频对抗(RFCM)评估系统,这是一种新一代射频仿真与试验装备,该装备可评估先进的电子战系统,如下一代干扰机(NGJ...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】清华大学与TSMC 16日共同发表65 nm产学合作成果,藉由TSMC所提供的65 nm制程晶圆共乘服务,清华大学微电子学研究所在半数字锁相环(PhaseLock Loop)以及模拟/...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】应用材料公司发布了基于Applied Centura<sup>?</sup>Silvia<sup>TM</sup>刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快...
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23. 英特尔发布新一代处理器刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】北京时间1月6日早间消息,英特尔周三在国际消费电子展CES 2011上发布了最新Sandy Bridge处理器,称Sandy Bridge强大的图形性能和内容保护能力标志着英特尔最重要...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】据以色列媒体报导,英特尔(Intel)已获得该国政府提供的一笔资金,将在当地兴建一座12英寸晶圆厂;但该报导指出,英特尔想要的资金更多。以色列财经媒体《Globes》的消息指出,英特尔...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】"十一五"国家863计划新材料技术领域重大项目"半导体照明工程"课题"深紫外LED制备和应用技术研究"经过持续攻关,在高铝组分材料研究和器件应用方面取得重要突破。半导体深紫外光源在照明...
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26. DARPA研发新型集成电路架构刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】据报道,美国DARPA发布新项目,名为"认知无线电低功率信号分析传感器集成电路(CLASIC)"。该项目的目的是为认知无线电开发新型的射频、模拟和混合信号集成电路架构和设计方法(认知无...
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27. 宽禁带圆片在室温下与Si片的接合刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】据《电子材料》(日)2010年第9期报道,三菱重工开发了一种具有自主知识产权的常温圆片接合机,成功地将SiC、GaN和蓝宝石在室温下分别与Si片直接接合。通过材料高效、高品质的接合,为...
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28. BAE研发的“纳尔卡”舰载诱铒弹刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】据报道,BAE公司近日向美国海军交付了1000套"纳尔卡"反舰导弹诱铒。"纳尔卡"是BAE、洛马和航空喷气公司共同开发的一种主动诱铒系统。采用了悬停火箭、自主控制等技术,发射后可在空中...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】欧司朗光电半导体的开发人员成功将红色薄膜LED的效率提升30%,又一次刷新了实验室纪录。而效率的大幅提升,能开辟LED在普通照明、投影和工业领域的全新应用空间。同时还意味着在相关应用中...
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30. 住友电工开发出大型GaN基板刊名： 半导体信息发表期刊： 2011年1期页码:摘要： 【正】在白色LED中使用的蓝色LED芯片及蓝光光驱光源用蓝紫色半导体激光器,目前新型的GaN基板有望使这些GaN类半导体发光元件的性能得到大幅提高。而在该领域,日本业界最大厂商住友电气工业最...
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