松下开发出使Si基板GaN功率晶体管耐压提高5倍的技术

• 作者: 章从福
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 功率晶体管 GAN SI基 基板 膜厚度 晶格常数 日本新能源 泄漏电流 热胀 计算在内
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 5-6
• 页数: 2页
• 分类号: F416.63

摘要

【正】松下半导体(Panasonic Semiconductor)开发出了可将Si基板上形成的GaN功率晶体管的耐压提高至5倍以上的技术。还有望实现300 V以上的耐压。硅基板上的GaN功率晶体管耐压,本来应该是GaN膜耐压和硅基板耐压加之和,而实际上此前只取决于GaN膜的耐压。因此,松下半导体为提高耐压而采取了增加GaN膜厚度的措施。不过,多晶硅和GaN的晶格常数和热胀系数不同,GaN膜过厚,就会出现开裂等问题。其结果,使GaN膜厚度从数μm左右、耐压从