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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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181. 功率半导体器件行业：竞争格局日趋激烈刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 功率半导体是弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造之间的桥梁，是国民经济的重要基础，在国民经济各领域和国防工业中无所不在。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，
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182. 国产碳化硅实现量产或将替代单晶硅刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道，该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。此前，北京天...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 7月14日消息，据知情人士透露，紫光集团向美国芯片存储巨头美光发出收购邀约，预计收购价格230亿美元。
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184. 意法半导体MEMS传感器下一步怎么走刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 2015上海世界移动大会，意法半导体（简称“ST”）带来MEMS领域基于运动、触控、环境、近距离、飞行时间等各类传感器的应用产品，遍及消费电子、汽车和工业应用等各个领域。
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年4期页码:摘要： 根据市场研究机构ICInsights的最新统计数据，在过去几年遭遇营收下滑、连续第六季亏损的AMD，已经被挤下该机构的2015上半年全球前二十大半导体供应商排行榜。AMD从2000年左右就一...
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186. 工信部欲加码扶持石墨烯 产业化有望提速刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>据悉,工信部酝酿从三个方面加大对石墨烯产业的扶持力度,包括出台石墨烯产业发展指导意见,建立石墨烯产业联合创新中心,成立石墨烯产业发展联盟。业内分析认为,针对石墨烯产业的扶持措施四季度将...
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187. 科技部:第三代半导体应布局抢占战略制高点刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>科技部高新技术发展及产业化司司长赵玉海在第三代半导体产业技术创新战略联盟成立大会上强调,应加强第三代半导体产业的战略研究,打造第三代半导体产业生态链。第三代半导体材料是近年来迅速发展起...
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188. 不断发展的ROHM最新功率元器件刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>用于功率转换的半导体功率元器件,由于对所有设备的节能化贡献巨大,其未来的技术发展动向受到业界广泛关注。ROHM针对这种节能化要求日益高涨的历史潮流,致力将在使分立半导体、IC的开发与制...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7k...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月20-24号在加拿大蒙特利尔举办的IEEE能源转换研讨和展销会上,CREE发布5篇有关碳化硅基电子功率技术的科技论文。预计9月21日周一,CREE的创始人之一兼功率与射频产业的技术...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>SiC市场领导者Cree近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>今年7月CREE成功收购功率模块和电子器件应用的领先企业美国APE公司,志在加速其碳化硅模块产业的进一步发展。目前来看,Cree的四大核心功率市场主要是针对服务器和太阳能反相器的开关型...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员,新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>意法半导体(STMicroelectronics,简称ST的槽栅结构低压MOSFETs STripFET F7系列将新增60V的产品线,可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>2015年9月1日,英飞凌科技股份公司扩展StrongIRFETTMPower MOSFET产品系列,推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平StrongIRFETTM器...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>Vishay推出采用小尺寸PowerPAK 8×8封装的600V E系列功率MOSFET—SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的V...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>Fairchild推出了其行业领先的中压MOSFET产品采用了8×8Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提...
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198. 通用电气公司在纽约成立碳化硅封装中心刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>纽约州长Andrew Cuomo近日表示,通用电气全球研发中心将成为计算机芯片商业化中心的重要成员。该中心位于美国Utica市SUNY纳米科学和工程研究院内。以GE公司的碳化硅技术为基...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>日前消息,RF解决方案供应商Qorvo(原RFMD和TriQuint)宣布,已成功地将专有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化镓(GaN)工艺技术扩展用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>Qorvo推出一款极具成本效益的高性能Ka波段3W GaN功率放大器,用于传输高速互联网数据的商用VSAT卫星地面终端。Qorvo传输业务部总经理Gorden Gook表示:"Qorv...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>加利福利亚圣芭芭拉大学和亚利桑那州立大学近期研制出一种氮化镓电流孔径垂直电子晶体管(CAVET),该产品拥有p型掩埋层,能产生反向偏置pn结。CAVET将二维电子气和垂直结构相结合,在...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>EPC公司一直专注于功率管理应用领域,生产增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管,近期公司发布了一款增强型单片氮化镓晶体管半桥,型号EPC2106。据称,通过将两个加强型氮化镓功率场效应晶体...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>Qorvo,Inc.推出三款采用低成本塑料封装的GaN RF晶体管,这些晶体管可实现更小的尺寸并具备更高的可靠性,可用于民用船舶、航空和基础设施雷达系统中。Qorvo航空航天和国防产品...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月8-10号在瑞士日内瓦举行的第17届功率电子和应用会议上,来自加拿大的氮化镓基功率转换半导体研发企业GaN Systems公司首次推出了一款型号为GS66540C的650V、100...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>EPC发布新款场效应晶体管EPC2039,是一款高功率密度增强型氮化镓器件。EPC2039尺寸较小,仅为1.82mm2,在栅极加5V电压条件下,可实现80V的漏极电压,6.8A,最大导...
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206. Macom推出最新氮化镓技术刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月6日-11日在法国巴黎举办的欧洲微波周European Microwave Week活动上,Macom公司将展示其最新的氮化镓射频产品和技术,包括其第四代硅基氮化镓射频技术。从大批...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月6-11号在法国巴黎举办的欧洲微波会议周(EuMW 2015)上,英飞凌科技公司(Infineon)首次推出其碳化硅基氮化镓射频功率晶体管产品。英飞凌公司表示,作为氮化镓产品系列的...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月6-11号在法国巴黎举办的欧洲微波会议周(EuMW 2015)上,美国CREE公司的子公司Wolfspeed of Raleigh,展示了最新的雷达应用产品,包括行业内目前最高功率...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>英国格拉斯哥大学和剑桥大学的研究员们最近表示,在低电阻硅基上成功研制出目前行业内最高频率性能的氮化镓高电子迁移率晶体管。该项技术有望实现成本较低的X波段高频应用,同时,鉴于电源管理和射...
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210. Imec开启氮化镓研究新提议刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>比利时纳米电子器件研究中心Imec近日欲扩展其硅基氮化镓研发项目,联合开发200mm硅基氮化镓外延和增强型器件相关技术。扩展的研发提案包括:开发新型衬底以提升外延层质量,开发新型隔离模...
半导体信息基本信息
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| 主办单位 | 中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 主管单位 | |
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