Qorvo的6英寸晶圆工艺有突破GaN器件产能将实现翻倍

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: GAN器件 Qorvo 氮化镓 射频器件 工艺技术 制造成本 美国国防部 收发器 产品部 CATV
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 16-
• 页数: 1页
• 分类号: TN454

摘要

<正>日前消息,RF解决方案供应商Qorvo(原RFMD和TriQuint)宣布,已成功地将专有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化镓(GaN)工艺技术扩展用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成电路(MMIC)。预计从4英寸过渡到6英寸晶圆,大约能使Qorvo公司的碳化硅基氮化镓生产能力增加一倍,并且有利于降低制造成本——对价格实惠的射频器件生产,能起到显著的推进作用。