Cree推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 器件技术 CREE SiC 首款 低导通电阻 直流母线电压 热管理系统 产品组合 终端系统 市场领导
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（5）
• 页码范围: 8-9
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

<正>SiC市场领导者Cree近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术,扩大了终端系统的功率范围,在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on),大大减小了热管理系统的尺寸,很好地解决了散