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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】2015年5月8日,工业和信息化部原材料工业司副司长苗治民一行调研了国家半导体照明工程研发及产业联盟、中科院半导体所。国家半导体照明工程研发及产业联盟成立十余年来,在各有关部门、中科院...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】被誉为中国版"工业4.0"的《中国制造2025》规划终于浮出水面,国家层面部署全面推进实施制造强国战略,聚焦制造业绿色升级、智能制造、高端装备创新三大方向,并提出到2025年迈入制造强...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Qorvo发布了一系列输入匹配并以低成本的塑料外壳封装的氮化镓晶体管,预期为商用和军用雷达以及无线电通信系统节约成本。"Qorvo公司的输入匹配的晶体管能在频段内实现功率和效率的优化,...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】飞思卡尔公司针对移动蜂窝基站发布了首款氮化镓射频功率器件。型号A2G22S160-01S器件可应用于30W和40W放大器,适用于无线基础设施应用,是针对移动蜂窝市场计划研发的Airfa...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】EPC近日发布了两款eGaN FET,其功率转换性能显著提升。产品运行温度最高可达150°C摄氏度,脉冲电流容量分别为可达200A(150VEPC2034)和140A(EPC2033)...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】据日经BP报道,松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体,将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN),能将耗电量控制在原来一半左右。据悉,松下目前已...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】飞思卡尔半导体日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的GaN器件方面...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】住友电气工业将涉足SiC功率元件业务。该公司将利用通过日本产业技术综合研究所的"Tsukuba Power-Electronics Constellations(TPEC)"试产线确立...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Fairchild将在PCIM Asia上介绍如何通过打破硅的限制将IGBT开关损耗降低30%。Fairchild大幅降低其第四代650V和1200VIGBT损耗,降幅达30%。Fai...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】MACOM发布一款高线性度6W功率放大器,适用于Ka波段高数据密度的卫星通信和5G无线接入网。裸片(MAAP-011140-DIE)具有24dB线性增益,6W饱和输出功率,23%功率附...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】美国Cree公司启动全新项目,致力研究可实现的最高功率Ku波段单片微波集成电路。Cree公司称,该30W Ku波段碳化硅上氮化镓单片微波集成电路两级高功率放大器可覆盖13.5-14.7...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】MACOM研发了一款宽带放大器,适用于直流50GHz频带范围,型号MAAM-011109-DIE。该型放大器具有较高性能,可实现50欧匹配,典型的输入和回退损耗都优于15dB,低噪声,...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】飞思卡尔半导体日前采用全新的2.4GHz IEEE 802.15.4收发器,为许多备受欢迎的Kinetis MCU扩展无线功能,适用于家庭自动化和工业控制应用。飞思卡尔的MCR20AV...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】致力于卫星宽带通信系统的研发的Advantech Wireless公司,最新发布了一款可应用于军事应用战略的50 W X波段氮化镓阻碍转换器上变频器。50 W X波段氮化镓上变频阻碍转...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出一款有源双平衡上变频混频器LTC5576,该器件具有很宽的RF频率范围,从3GHz直到8GHz。LTC55...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】ADI最近推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器,其可提高工业电机控制应用的电机能效、可靠性和系统控制性能。单封装ADuM4135集成ADI公司备受赞誉的iCoupler数字隔离...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的SMD封装的超薄2.5AIGBT和MOSFET驱动器——VOL3120。Vishay Semiconductors这...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】2015年6月15日–上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM A-sia 2015)将于2015年6月24日至26日在上海世博展览馆举办。日本半导体制造商株式会社东芝(Tos...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】美国国防部5月15日说,美国军方最近开始研发一种低能耗的近零功率传感器,可使传感器的使用寿命从数周或数月延长至数年时间。这不仅能减少传感器的使用成本,也会降低重新部署传感器的频率,减轻...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布3颗新的600VEF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET-SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和Si-...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】Vishay推出28颗新的600V和650VFRED Pt Gen 4Ultrafast快恢复二极管,这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】砷化镓射频(RF)元件凭借着优异的杂讯处理及高线性等特色,成为高效能通讯设备开发人员长久以来的首选方案;然而,近来随着绝缘层覆硅(SOI)制程技术的突破,以硅材料为基础的RF元件性能已...
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24. 晶片键合技术实现器件新发展刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高;化合物半导体沉积速率不够快;外延设备购置成本过高等。基...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】世界半导体贸易统计组织(WSTS)发布了2015年春季的半导体市场预测。预计全球半导体市场将稳定增长,2015年全球半导体市场将增长3.4%。增长率与2014年12月发布的秋季预测相同...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】美国芯片业巨头英特尔公司日前宣布收购另一家芯片制造商拓朗半导体公司。这是今年以来公布的第三例涉及美国芯片公司的重大购并案,反映了芯片行业出现整合热潮。英特尔是世界头号芯片制造商,此次以...
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27. 三星有望成为世界第一的半导体公司刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】世界最大规模三星电子京畿道平泽工业园正式动土,三星电子在与去年迎来四十周年之际将有望超越因特尔走上跨越式发展道路。近日韩国总统朴槿惠与三星副会长李在龙等600名相关人士出席了三星电子在...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】由北京第三代半导体材料及应用联合创新基地牵头,联合天津、河北两地第三代半导体技术创新战略联盟的京津冀第三代半导体联合创新基地近日在京签署战略合作框架协议。三地将利用和协调各地资源要素共...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】恩智浦半导体近日宣布已和北京建广资产管理有限公司(简称"建广资产")达成协议,同意向其出售恩智浦射频功率事业部。根据协议内容,建广资产将为购买此事业部支付18亿美元。该交易将在获得相关...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年3期页码:摘要： 【正】从重庆超硅光电技术有限公司获悉,该公司集成电路用8/12英寸半导体级抛光硅片及其延伸产品制造基地的土建工程即将于近日完工,可达到取证验收要求。按计划今年底可以出片,一举改变该材料依靠进...
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