杂讯/线性效能大突破 硅基RF撼动砷化镓技术

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 RF 微波应用 最佳设计 高线性 替代方案 制程技术 通讯设备 切换器 步进衰减器
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN303

摘要

【正】砷化镓射频(RF)元件凭借着优异的杂讯处理及高线性等特色,成为高效能通讯设备开发人员长久以来的首选方案;然而,近来随着绝缘层覆硅(SOI)制程技术的突破,以硅材料为基础的RF元件性能已大幅突破,成为替代砷化镓方案的新选择。近来硅基产品在技术上的突飞猛进,再结合设计制程的改变,使其在高效能射频(RF)及微波应用中,已逐步展现做为砷化镓替代方案的可行性。设备技术的快速进展带动的需求,通常可以引导发展出最佳设计,即使此