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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>据悉,工信部酝酿从三个方面加大对石墨烯产业的扶持力度,包括出台石墨烯产业发展指导意见,建立石墨烯产业联合创新中心,成立石墨烯产业发展联盟。业内分析认为,针对石墨烯产业的扶持措施四季度将...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>用于功率转换的半导体功率元器件,由于对所有设备的节能化贡献巨大,其未来的技术发展动向受到业界广泛关注。ROHM针对这种节能化要求日益高涨的历史潮流,致力将在使分立半导体、IC的开发与制...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7k...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月20-24号在加拿大蒙特利尔举办的IEEE能源转换研讨和展销会上,CREE发布5篇有关碳化硅基电子功率技术的科技论文。预计9月21日周一,CREE的创始人之一兼功率与射频产业的技术...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>SiC市场领导者Cree近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>今年7月CREE成功收购功率模块和电子器件应用的领先企业美国APE公司,志在加速其碳化硅模块产业的进一步发展。目前来看,Cree的四大核心功率市场主要是针对服务器和太阳能反相器的开关型...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>2015年9月1日,英飞凌科技股份公司扩展StrongIRFETTMPower MOSFET产品系列,推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平StrongIRFETTM器...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>Fairchild推出了其行业领先的中压MOSFET产品采用了8×8Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>日前消息,RF解决方案供应商Qorvo(原RFMD和TriQuint)宣布,已成功地将专有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化镓(GaN)工艺技术扩展用于在6英寸晶圆上生产单片微波集成...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>Qorvo推出一款极具成本效益的高性能Ka波段3W GaN功率放大器,用于传输高速互联网数据的商用VSAT卫星地面终端。Qorvo传输业务部总经理Gorden Gook表示:"Qorv...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>EPC公司一直专注于功率管理应用领域,生产增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管,近期公司发布了一款增强型单片氮化镓晶体管半桥,型号EPC2106。据称,通过将两个加强型氮化镓功率场效应晶体...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>EPC发布新款场效应晶体管EPC2039,是一款高功率密度增强型氮化镓器件。EPC2039尺寸较小,仅为1.82mm2,在栅极加5V电压条件下,可实现80V的漏极电压,6.8A,最大导...
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13. Macom推出最新氮化镓技术刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月6日-11日在法国巴黎举办的欧洲微波周European Microwave Week活动上,Macom公司将展示其最新的氮化镓射频产品和技术,包括其第四代硅基氮化镓射频技术。从大批...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月6-11号在法国巴黎举办的欧洲微波会议周(EuMW 2015)上,英飞凌科技公司(Infineon)首次推出其碳化硅基氮化镓射频功率晶体管产品。英飞凌公司表示,作为氮化镓产品系列的...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>英国格拉斯哥大学和剑桥大学的研究员们最近表示,在低电阻硅基上成功研制出目前行业内最高频率性能的氮化镓高电子迁移率晶体管。该项技术有望实现成本较低的X波段高频应用,同时,鉴于电源管理和射...
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16. Imec开启氮化镓研究新提议刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>比利时纳米电子器件研究中心Imec近日欲扩展其硅基氮化镓研发项目,联合开发200mm硅基氮化镓外延和增强型器件相关技术。扩展的研发提案包括:开发新型衬底以提升外延层质量,开发新型隔离模...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>Pasternack是射频微波毫米波产品的生产供应商,近日推出一条生产双向放大器的新型产品线,产品可满足关键应用中射频信号的收发需求,可应用于无人机、无人驾驶车、L和S波段雷达、军用无...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>9月6-11号在法国巴黎举办的欧洲微波会议周(EuMW 2015)上,英国Diamond Microwave Devices Ltd of Leeds公司发布了一款新型产品,其输出功率...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>美国QEOS公司是一个CMOS毫米波低功率连接和传感解决方案提供商,而Global Foundries是世界上最大型的半导体代工厂之一,在新加坡、德国、美国有超过250家客户和运营商。...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>迈来芯(Melexis)公司推出了MLX73290-M。该多通道RF收发器IC利用了该公司在低功率无线实现方面长期建立的技术专长。该产品可满足从300MHz直到960MHz的Sub-G...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>Soitec董事长兼首席执行官近日透露,苹果iPhone 6s已经在SOI(绝缘体上硅)的基质甚至是长时间带阻滤波器的SOI上使用多个射频(RF)芯片。与此同时,Intel和IBM正使...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>射频绝缘体上硅公司Peregrine Semiconductor近期宣布在微波频率段实现集成相位和幅值控制,这是其下一阶段智能集成能力的发展重点。去年秋天,Peregrine宣布利用U...
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24. 磷化铟材料:前程可期刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>在7月末全额收购了磷化铟衬底制造商Crystacomm之后,半导体衬底制造商AXT正在酝酿6英寸磷化铟衬底的生长,这关系着能否为下一代无线移动通信发展打开新局面。AXT一直是世界上服务...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>资策会产业情报研究所(MIC)预估,由于下游景气持续不佳,2016年全球半导体市场成长率可能较2015年衰退1%,产值约3,399亿美元。台湾半导体产业方面,在DRAM产值跌幅趋缓的带...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>在全球电子行业稳步发展的大环境下,不少业内人士对于半导体分立器件的市场前景更为看好,据美国半导体产业协会公布的数据显示,半导体分立器件行业的销售排名已占电子市场总份额的前三。而在未来两...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>全球功率半导体市场去年产值达162亿美元,国际半导体厂商英飞凌在功率半导体市场稳居领先地位,市占率达19.2%,市场预估到2019年,功率半导体的需求前景看好,尤其在汽车与工业应用领域...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>调查机构YOLE表示,目前碳化硅和氮化镓材料正在与传统硅材料激烈竞争,占据从低功率到高功率应用的巨大市场。目前,宽禁带器件市场并不像预期的那样发展迅猛。器件应用的四大阻碍分别是:器件层...
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29. 氮化镓元件将扩展功率应用市场刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>根据YoleDeveloppement指出,氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体业者受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2015年5期页码:摘要： <正>据韩联社报道,韩国SK海力士近日在京畿道利川市总部举行世界最大规模半导体工厂M14竣工仪式。SK海力士方面表示,计划在京畿道利川和忠清北道清州再建两家工厂,包括M14在内,总投资规模将...
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