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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 通过对三级复合达林顿结构GTR的体耐压进行计算机辅助分析。讨论了影响GTR体耐压的诸因素。提出了三级复合达林顿结构GTR体耐压的一种新的设计方法,并制作了样品,测试表明,计算结果与实验结果符...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 提出了计算非晶硅肖特基二极管伏安特性的新方法,这种方法不需知道非晶硅隙态密度具体分布就可导出其伏安特性表达式,而且与实验结果相吻合。
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3. 多孔硅光致发光机理探索刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 本文研究并提出了一个兼量子限制效应和表面态作用的综合发光机理:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒能隙提高,光激发产生的电子、空穴对经局域在量子线上激子态复合和表面态复合两条依赖于多孔硅具体表面状态...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 报导了非晶体半导体中的氢键模型,并满意地用该模型解释了氢化硅基非晶半导体的Staeber-Wronski效应和吸收边展宽之'肩'。更多还原
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 介绍了当前世界上体硅和SOI材料及其器件辐射加固技术的发展现状,并介绍了主要的辐射加固CMOS IC的研制现状。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 本文综述了引线的接触电阻及其测量方法与模型,材料间的冶金效应以及减小接触阻并提高可键合性的措施。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 本文对四探针测试半导体薄层电阻关于边缘修正计算的各种理论及方法做了总结,重点描述了一种有限元法(FEM)。这种方法对任意形状的样品和任意放置探针具有同样简单和计算通用的特点,特别是对微区测试...
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8. 半导体制冷探针及应用刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 闸述了半导体致冷探针的原理和基本结构及其在医学中的应用前景
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年1期页码:摘要： 本文依据变频电源中开关元件与功率整流管在一工作周期内的完整波形,分析总功耗及各功耗分量与频率的关系,结果说明改善作为续流二极管的功率整流管的快恢复特性是降低变频电源功耗的关键。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 本文提出一种电流补偿型四象限模拟乘法器，该电路有两部分组成，第一部分是产生与输入电压Ｖｘ平方成正比的电流发生器。第二部分是迭式Ｇｉｌｂｅｒｔ单元。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明在±５Ｖ电源下，两路输...
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11. 智能介质膜厚度测试仪的研制刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 本文研制的智能测试仪能直接同金属表面所镀介质膜的厚度，文中介绍了测量原理和仪器结构。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 本文对含氮ＣＺ硅单晶中的氧施主进行了探讨，测试样品是６５０℃下处理的含氮ＣＺ硅单晶在７００℃的温度下继续热处理。通过变温霍尔测试发现，材料中除了热施主外，还存在一种浅施主能级。这种浅施主在６...
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13. 高质量非晶硅锗材料的研制刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件，选择适当的氢稀释率、气体压强，掺锗率和辉光功率，获得了光带隙为１．４５ｅＶ，光暗电导比为１．６×１０＾５的高质量ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 本文的目的是要推导关于在平行磁场中浅施主杂质能级计算的精确理论，这本身又能使我们提高道效应电流计算的精确度。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 本文提出了积分Ｃ－Ｖ法，它适用于杂质纵向分布均匀的外延层电阻率的测量。该方法简便。在上述外延层上，微分Ｃ－Ｖ法、Ｃ－Ｖ法和本法－积分Ｃ－Ｖ，实验结果三方法吻合良好。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 本文综述了Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金的研究进展，包括合金的应变补偿效应，微观结构，能带结构和光电特性等。
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17. 半导体光电探测器及进展刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 半导体光电探测是半导体光电子学的重要部分，半导体光电探测器在光纤通信，红外遥感等领域有广泛的应用，本文介绍了几种最新的半导体光电探测器结构，旨在探讨国内外当前半导体光电探测器的研究现状及发展...
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18. SiC肖特基势垒二极管刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 本文简要地介绍了半导体ＳｉＣ材料的特性，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ，ＧａＰ等材料作了比较，同时介绍了ＳｉＣ９肖特基势垒及ＳｉＣ肖特基势垒二极管的伏－安特性。
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19. 有源寻址面阵探测器刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年2期页码:摘要： 本文详细介绍了有源寻址面阵探测器的结构，特性和参数，并简要介绍了它的应用及在国内外的发展状况。
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20. 非晶硅锗单结电池的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａ－ＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２．０１％的ａ－ＳｉＧｅ单结电池。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 通过温度压力改变，使整个ＬＥＣ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶。单昌表面离和，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥ－ＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａ...
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22. 无平面结敏感区硅光电探测器刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光电探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在一定的均匀光照下，器件的光电池也有一定的值。利用本文的分析模型，可以得到该器件的有效光敏面积，从而可以确...
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23. 硅光电器件抗反射系统设计研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 根据ＳｉＯ２－Ｓｉ系统在空气中的反射率公式，讨论了ＳｉＯ２层厚度和入射光波长对反射率的影响，提出了在两种情况下确定ＳｉＯ２层厚度的方法：１．实现在某一波长范围抗反射效果最佳；２．实现在某一光...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘ＧａＡｓ的快速退火行为。结果表明：辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 从麦克斯韦理论出发精确计算得出ＳＯＩ平面光波中的有效折射率及光场分析，并由此确定了传输单模光波导的波导层厚度。
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26. GaN基蓝色发光材料与器件刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 近年，作为绿色，蓝绿色，蓝色和蓝紫色发光材料，Ⅲ族氮化物，如ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ，ＩｎＧａｎ，ＡｌＧａＮ的研究引起了人们的广泛关注。本文主要介绍了ＧａＮ基蓝色发光材料发光器件的设备，特性及...
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27. 近年世界半导体设备市场分析刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 介绍了１９９３－２０００年世界半导体市场，世界半导体设备投资及世界半导体设备市场，后者包括光刻机，蚀刻设备，离子注入机，ＣＭＰ设备和测试设备市场。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 无坩埚区熔法生长的无位错硅单晶中微缺陷形成的特征Э．С．法勒克维奇И．Ф．切沃勒（乌克兰国立扎波罗热大学）无位错硅单晶晶体结构的完美程度，即它们体内的宏观和微观缺陷的存在，乃是目前评定硅单晶...
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29. VDMOS场效应管及其特点分析刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 阐述了垂直导电双扩散型ＶＤＭＯＳ管的发展概况，分析了ＶＤＭＯＳ管的结构特点，工作原理，特性曲线，主要参数，归纳了它的技术特点和优势，最后介绍了在电力电子技术，计算机，音响等方面的应用。
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30. 扩频芯片Z2000中的编码与解码刊名： 半导体杂志发表期刊： 1997年3期页码:摘要： 介绍了扩频收发芯片Ｚ２０００中的差分编码和ＤＢＰＳＫ，ＤＱＰＳＫ的解码原理。
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
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| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
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