集成电路通讯期刊
出版文献量(篇)
868
总下载数(次)
16
总被引数(次)
1121

集成电路通讯

主办单位:
中国兵器工业第214研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
季刊
邮编:
233042
地址:
安徽省蚌埠市06信箱
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868
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  • 作者: 龙善丽
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  1-5
    摘要: 针对单支点摇摆式加速度计的敏感结构设计了相应的信号处理测控系统,利用Matlab Simulink仿真工具分别对敏感结构和测控系统模块进行了建模。重点分析了一些非理想因素对系统的影响。仿真结...
  • 作者:
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  5-5
    摘要: 法国半导体公司Soitec与上海Industrial μTechnology研究机构(SITRI)共同签署一项协议,将采用基于Soitec公司衬底材料和相关技术的先进电路设计进一步开发RF—...
  • 作者: 曹彪 李有池 薛海英
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  6-9
    摘要: 数字表头通信功能主要由待测模块、数字电流(电压)表头、RS232-RS485转换器、PC机四部分硬件组成。以PC机作为上位机,通过LabVIEW软件进行编程,利用RS232转RS485串口,...
  • 作者: 仇晨光 傅旭东 裴文祥
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  10-14
    摘要: 基于图像的公交专用道监控方法是根据公交专道自身特征以及监控实时性和鲁棒性要求,运用外加约束条件的Hough变换实现车道检测,结合雷达检测图,对图像区域内疑似车辆斑块进行物体及位置确认,完成车...
  • 作者:
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  14-14
    摘要: 日前,IBM宣布研发成功7nm芯片,而现在,又有研发团队宣称制备成功了有史以来最小的晶体管-只有单个分子大小。 实现这一惊人成就的是来自一支德国、日本和美国的联合研究团队,他们在砷化铟晶体...
  • 作者: 吴力涛 周芳 孙帮东
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  15-18
    摘要: 单端正激式DC/DC电源是一种结构简单、适应性强、应用广泛的开关电源,其设计难点在于变压器参数的设计以及电路参数的调试。开关电源变压器参数设计需考虑的参数很多,造成计算公式也很多,且计算公式...
  • 作者: 侯育增 夏俊生 李寿胜 肖雷
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  19-22
    摘要: 混合集成电路的一种典型封装结构是双列直插浅腔金属封装,这种封装结构存在一些薄弱环节,直接影响了混合集成电路产品耐高过载水平的提升。采用卡槽式外壳封装结构的可以将衬底基板置于卡槽内,使电路基板...
  • 作者:
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  22-22
    摘要: 2015上海世界移动大会,意法半导体带来MEMS领域基于运动、触控、环境、近距离、飞行时间等各类传感器的应用产品。遍及消费电子、汽车和工业应用等各个领域。
  • 作者: 刘尊建 尹宏程 陈锋
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  23-25
    摘要: 为避免模块电路因一次灌封固化时产生的应力使器件断裂失效,及部分外观不合格。采用一种复合式灌封工艺,在元器件上预先涂盖一层704硅橡胶,再将9053灌封胶分两次进行梯次灌封。经对电路进行各项筛...
  • 作者:
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  25-25
    摘要: 日前,由爱立信牵头的IRIS项目已研制出硅光子交换机,在一块芯片上容纳成千杀上万的电路。 第一块芯片现处于测试和参数化阶段,如取得成功,将是业界的重大突破,为在单个芯片上集成新一代光纤系统...
  • 作者: 苏亚慧
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  26-30
    摘要: 采用ANSYS软件对Sn60Pb40焊点进行了有限元模拟,分析了不同焊点形态在热循环条件下的应力应变过程。根据应力应变结果,基于经验方程预测了焊点的热循环寿命。研究了钎料体积、间隙高度、焊盘...
  • 作者: 朱小燕 赵娟 陈真 陈计学
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  31-35
    摘要: 基于传统CCD测试方法的缺点,提出了四端结构MOS管转移特性法。按照BCCD结构,在CCD晶圆的PCM测试区域设计若干四端结构MOS管图形,随芯片制造过程按CCD不同功能区域的掺杂条件进行不...
  • 作者:
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  35-35
    摘要: 近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品问世。据报道,该碳化硅项目由山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先进水平。此前,北京天科...
  • 作者: 方岚 田波 郑宇
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  36-40
    摘要: 雪崩二极管振荡器主要组成包括负阻器件和外部谐振电路(谐振腔),雪崩二极管振荡器可在整个毫米波波段提供较佳的连续波信号和脉冲信号。雪崩二极管振荡器调谐方法有机械、偏压、外调谐三种,多采用机械调...
  • 作者: 白小丽 陈剑
    刊名: 集成电路通讯
    发表期刊: 2015年4期
    页码:  41-46
    摘要: 虚拟仪器的硬件平台由计算机、I/O接口设备两部分构成,根据所使用的标准总线仪器的不同,可分为PC—DAQ、GPIB系统、串口系统、VXI系统和PXI系统。重要的软件开发平台LabVIEW是一...

集成电路通讯基本信息

刊名 集成电路通讯 主编 高惠潮
曾用名
主办单位 中国兵器工业第214研究所  主管单位
出版周期 季刊 语种
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ISSN CN
邮编 233042 电子邮箱
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地址 安徽省蚌埠市06信箱

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